epi 1000-C

Epiluvac EPI 1000-C


20년 넘는 기술 개발을 통한 핵심 기술인 열 경사도 Thermal Gradient 배치를 통한 EPI 품질을 보장합니다. Growth Chamber가 쿼츠 튜브 안에 배치되어 수평 Reactor 방식입니다.

EPI 1000-C Specifications
Wafer capacity: 150 mm
Temperature: 1700 C
Measurement: Pyrometer
Heater (RF): 50 kW
MFC (digital): Metal seal
Doping: p- and n-type
Operation: Manual, auto, service
Safety system: Included
Glove box: Option
Gas detectors: Option
Process package: Included
Ventilation: 1000 m3/h
Cooling water: 48 l/min
Abatement: Facility
Electricity: 400 VAC or custom
Power (total): 70 kVA


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