그로쓰머티리얼즈는 화합물 반도체를 공급해 드립니다.
해외 업체들과 협력하여 현재 생산되고 있는 화합물 웨이퍼, 개발 중인 웨이퍼, 재고로 보유 중인 웨이퍼들을 소개/판매하고 있습니다. 2종류 이상의 원소를 화합하여 형성한 반도체를 화합물 반도체라고 합니다. 반도체는 크게 게르마늄이나 실리콘 같은 단일 원소 (elemental)로서 반도체성을 나타내고 두 종류 이상의 원소가 결합된 화합물로서 작용하는 화합물 반도체로 나뉩니다.
원소주기율표상 Ⅳ족을 형성하는 게르마늄, 실리콘 주위의 Ⅲ족, Ⅴ족, VI족의 원소를 여러 가지 조합으로 만든 화합물 반도체는 실리콘에 비해 전자 이동도가 10배 이상 빨라 고속 소자를 만드는 용도로 쓰입니다.
대표적인 것으로 InSb, InAs, GaAs, GaP 등이 있고, 원소 반도체와는 다른 반도체 특성을 나타내고, 홀 소자나 자기저항소자, 레이저 다이오드, 발광 다이오드, 수광 센서, 집적회로 등에 응용되고 있습니다. 화합물 반도체들은 에너지 갭이 뛰어나 특이한 반도체 특성을 나타내기 때문에 태양전지, 마이크로파 소자, 홀 소자, 고속 IC, 센서 등 매우 다양하게 활용 가능합니다.
Ⅲ~V족의 2원소계 반도체로서는 GaAs, InSb, GaP 등, Ⅲ~Ⅴ족 3원소 반도체로서는 InGaAs, GaAsSb가 있고, Ⅱ~Ⅳ족 2원소계에서는 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe 등이, Ⅲ~Ⅴ족 4원계 반도체로서는 InGaAsP 등을 대표적인 것으로 들 수 있습니다.
GaAs
게르마늄이나 실리콘 등 단 원소보다 전자 이동속도가 6배 빨라 연산속도를 6배 높일 수 있으며 구조 설계 시 배선용량이 작고 트랜지스터 구조가 간단해 고속화·고집적화에 적합합니다. 여러 가지 다른 화합물 반도체를 형성할 수 있을 뿐 아니라 소비전력이 적고 다양한 성질을 낼 수 있는 복잡한 구조의 디바이스 제조가 가능해 반도체 분야에서 광범위하게 응용되고 있습니다. 무엇보다 에너지를 빛으로 발산하는 성질이 있어 광 디바이스 재료로 연구되고 있습니다.
저희 업체는 해외 업체의 대리점으로서 하기 사양의 GaAs 을 공급해 드립니다. 아울러 양산 준비를 위한 Monitor용, Dummy용 제품도 공급하고 있습니다
InP
InP Wafer는 Indium 과 Phosphide의 화합물입니다.
GaAs 나 GaP 보다 더 큰 격자 상수 (lattice constant)를 갖고 있으며 InGaAs, AlInAs, AlGaIN 의 EPI 형태로 소자 제작에 사용됩니다. 빛을 흡수/발산하는 성질이 뛰어나 광통신 분야에 널리 사용되며 레이저, LED, 증폭기, 광 검출기, 스위칭 소자, 웨이브 가이드, 고속 트랜지스터, 터널다이오드 등 다양한 분야에 적용될 수 있습니다. 특히 장파장 영역에 활용되고 있습니다.
semi insulating
| Growth Method | VGF |
| Dopant | Undoped |
| Diameter(mm) | 50.8 or 76.2 or 100 or 150 |
| Single or poly | Single Crystal |
| Orientation | (100) or 2 degree off |
| OF(mm) | EJ, US or Notch |
| IF(mm) | EJ, US or Notch |
| Resistivity/ohm cm | >E17 |
| Mobility/cm2V-1s-1 | >5,000 |
| Carrier Conc./cm-3 | semi-insulating |
| Etch Pit Density(cm-2) | <8000 |
| Laser Mark | upon request |
| Thickness/microns | 350(450) or 625 or 675+/-25um |
| Surface Finish | DSP or SSP |
| Epi-Ready | Yes |
| Packaging | Individual tray, sealed in inert atmosphere or Cassette (25wafers unit) |
semi conducting LED
| Growth Method | VGF |
| Dopant | Si (Zn doped Available) |
| Diameter(mm) | 50.8 or 76.2 or 100 |
| Single or poly | Single Crystal |
| Orientation | 2° / 6°/ 15° degree off |
| (others are available) | |
| OF(mm) | EJ, US |
| IF(mm) | EJ, US |
| Carrier Conc./cm-3 | (0.4-2.5)E18 |
| Mobility/cm2V-1s-1 | 1500-3000 |
| Etch Pit Density(cm-2) | <5000 |
| Laser Mark | upon request |
| Thickness/microns | 220-350 (others are available) |
| TTV | <=10 |
| Surface Finish | DSP or SSP |
| Epi-Ready | Yes |
| Packaging | Single or Cassette (25wafers unit) |
semi conducting LD
| Growth Method | VGF |
| Dopant | Si |
| Diameter(mm) | 50.8 or 76.2 or 100 |
| Single or poly | Single Crystal |
| Orientation | 2° / 6°/ 15° degree off (others are available) |
| OF(mm) | EJ, US |
| IF(mm) | EJ, US |
| Carrier Conc./cm-3 | (0.4-2.5)E18 |
| Mobility/cm2V-1s-1 | 1500-3000 |
| Etch Pit Density(cm-2) | <500 |
| Laser Mark | upon request |
| Thickness/microns | 220-625 (others are available) |
| TTV | <=10 |
| Surface Finish | DSP or SSP |
| Epi-Ready | Yes |
| Packaging | Single or Cassette (25wafers unit) |
semi insulating
| Growth Method | VGF | ||
| Dopant | Iron (FE) | ||
| Diameter | 2″~ 4″ | ||
| Surface Orientation | (100)±0.5° | ||
| Resistivity (Ω.cm) | ≥ 0.5× 107 | ||
| Mobility (cm2/V.S) | ≥ 1,000 | ||
| Etch Pitch Density (cm2) | 1,500-5,000 | ||
| Wafer Diameter (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Thickness (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| OF (mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| OF / IF (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | ||
semi conducting
| Growth Method | VGF | ||
| Dopant | n-type: S, Sn/ Undoped / p-type: Zn | ||
| Diameter | 2″~4″ | ||
| Surface Orientation | (100)±0.5° | ||
| Dopant | S & Sn (n-type) |
Undoped (n-type) | Zn (p-type) |
| Carrier Concentration (cm-3) | ( 0.8-8)E18 | ( 1-10)E15 | ( 0.8-8)E18 |
| Mobility (cm2/V.S.) | ( 1-2.5)E3 | ( 3-5)E3 | 50-100 |
| Etch Pitch Density (cm2) | 100-5,000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| Wafer Diameter (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Thickness (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| OF (mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| OF / IF (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | ||
ZnO
GaN을 Sapphire 나 SiC에서 성장하는 것보다 ZnO을 성장하면 Lattice Mismatch가 2% 더 낮습니다. ZnO thin film은 육방구조나 결정학적 면에서 GaN과 동일하고 InGaN Layer 형성에 최적의 결과를 구현합니다. Nitride 계열의 소자, 광 소자 고주파소자, 우주, UV, Blue Light, LD등 다양하게 적용 가능합니다. ZnO Bulk Substrate (N-type doped, Nonpolar), ZnO nitride Epi-ready Wafer, ZnO epitaxy 형태로 공급이 가능합니다.
ZnO
| Crystal Structure | Hexagonal |
| Diameter | 5 x 5，10×10,20×20 or 25×25 mm |
| Orientation | , |
| Bandgap | 3.37 eV |
| Thermal Conductivity | 130 W/Meter -K |
| Etch Pitch Density (cm2) | < 4 x 104 per cm2 |
| Conductivity | N-type |
| Resistivity | 0.04 ohm-cm |
| Polished | Zn or O face polished |
| Alloy Compositions | GaN, InGaN |
| Substrates | Sapphire, ZnO |
| Dopant | Si. Mg |
| Conductivity | N-type, P- type |
Germanium Wafer
Germanium 은 역사적으로 Silicon 처럼 반도체 공학에서 일반적으로 사용되어 왔습니다.
독일의 화학자 빈클러가 1886년 발견한 반도체 물질로서 구리, 납, 아연 등의 광석을 정제하는 과정에서 얻어지고 단단한 준금속 원소로 규소나 주석과 화학적 성질이 비슷합니다. 다양한 유기금속 화합물을 형성하며, 정류기, 트랜지스터, 반도체 등의 전자공학 분야에 널리 쓰이는 재료입니다. 1945년 반도체로 유용하다는 사실이 알려졌고, 제2차 세계대전 동안 약간의 저마늄이 레이더 전파 탐지용 다이오드를 제조하는데 사용된 이후 1948년에는 저마늄 트랜지스터가 발명되어 전자 기기에 많이 사용되었으나 1970년대 이후 규소 반도체가 등장하면서 그 자리를 대체하게 되었습니다. 실리콘이 생산성, 비용, 전력 컨트롤, 누설전류, 안정적 온도 등으로 저머늄 보다 뛰어나 일반적으로 사용되게 되었습니다.
빠른 속도의 소자를 개발하기 위한 SiGe 의 형태뿐 아니라 저머늄은 GaAs와 열적/결정학적 매칭으로 III-V 족 화합물 에피 성장의 꾸준한 기판 소재로 사용됩니다. 적절한 결정 핵 생성을 위해 Ge wafer는 일정한 Off-cut 방향성을 띄도록 합니다.
semi conducting P-type
| Growth Method | VGF |
| Dopant | Ga(P-type) |
| (n-type also available upon quantity) | |
| Diameter(mm) | 100 +/-0.25 |
| (other diameter available) | |
| Orientation | 6° off toward (111) |
| (others are available) | |
| Etch Pitch Density (cm2) | n/a |
| OF / IF (mm) | EJ |
| Resistivity | <5E2 |
| Laser Mark | upon request |
| Thickness/microns | 170+/-15 |
| Surface Finish | DSP or SSP |
| Epi-Ready | Yes |
| Packaging | Single |
semi conducting N/P-type 1
| Growth Method | VGF | |
| Dopant | n-type: As | p-type: Ga |
| Resistivity (Ω.cm) | 0.05-0.25 | 0.005-0.04 |
| Diameter | 2″ ~ 6″ | |
| Surface Orientation | (100)±0.5° others are available | |
| Etch Pitch Density (cm2) | ≤ 300 | |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 15 | |
| WARP (µm) | ≤ 25 | |
| Thickness (µm) | 175±25 | |
| Polish | E/E, P/E, P/G | |
| IF (mm) | 17±1 ; 32.5±1 | |
| OF (mm) | 7±1 ; 18±1 | |
| ETC | Backside Ra (µm) average: < 0.1 | |
| MOQ | 10pcs or 새로 성장해야 하면 30장 | |
semi conducting N/P-type 2
| Growth Method | VGF | |
| Dopant | n-type: Sb | p-type: Ga |
| Resistivity (Ω.cm) | 0.01-50 | 0.01-50 (001-0.05) |
| Diameter | 2″ ~ 6″ | |
| Surface Orientation | (100)±0.5° others are available 6 deg | |
| → ± 0.5 deg | ||
| Etch Pitch Density (cm2) | 4″ : ≤ 0 , | |
| 6″: 300 (seed: tail = 0:18) | ||
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | |
| WARP (µm) | ≤ 75 (actual <10) | |
| Thickness (µm) | 145um, 175um, 225um | |
| Polish | Front: Polished, epi-ready Back: Diamond Ground, polished | |
| Dielectric coating(optional) 20nm-200um | ||
| IF (mm) | 32mm, 45mm | |
| OF (mm) | ||
| ETC | None: Edge chips, Dimples, Scratches, Stains, Loose Particles, Crackes | |
| MOQ | 20장 수준 | |
InSb
InSb은 0.17eV의 좁은 밴드갭을 갖는 직접 천이형 반도체 재료입니다. 주로 적외선 측정을 위한 Detector 재료로, 적외선 열화상 카메라, 추적 미사일, 홀 소자, 자기 저항 소자를 만드는데 사용됩니다.
InSb N/P-type
| Growth | CZ |
| Type/Dopant | N-type/Te, Un-doped, P-type/Ge |
| Diameter | 2inch ~ 5inch |
| Etch Pitch Density (cm2) | <10 |
| Orientation | Stnadard (111) |
| For other orientation and off-orientation availalbe. | |
| Finishing | Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready |
| Thickness | 2inch ：625um~.(400~1000um) |
| Others | career concentration, resistivity, mobility, Flatness level can be specified within the allowable range. |
