IV 족 기반 실리콘 공정으로 볼로미터 (Bolometer) 비 냉각 열상 시스템을 개발하고 있는 에피 공정기술이 연구진들에 의해 개발되고 있고, IR, Detector, 등 Ge의 특성을 이용한 소자 개발에 이용될 수 있습니다.
볼로미터: 열효과형 광 검출기의 일종. 즉 빛의 흡수로 인한 온도의 상승으로 센서의 전기저항이 변화하는 것을 이용하여 빛을 감지합니다.
일반적으로 어떤 물질도 그 물질의 온도에 대응한 파장의 전자파를 방사하고 있고, 약 700℃ 이하에서는 그 파장은 적외 영역에 있습니다. 볼로미터는 이와 같은 방사선의 센서로써 사용되는 경우가 많고, 열을 방사하고 있는 물체의 온도를 측정하는 것도 가능합니다.
센서로써는 Au, Pt, Ni 등의 금속박막이나 서미스터가 많이 사용됩니다. 또 액체 헬륨 온도로 동작하는 InSb볼로미터는 100~200㎛ 파장영역의 원적외선에 감도를 가지고 있습니다.
RPCVD 기술로 4-, 6- 8- 기판에 다음의 사양으로 공정을 진행합니다.
- P-, As- and B-doped Si and SiGeSnC layers
(doping level of 10E15-10E19 cm-3 in Si but for Si alloys depends on the material design) - Slective epitaxy of doped and undoped SiGeC layers on patterned substrates
- Multilayer structures (superlattices) of Si-or Ge-based materials
- Advanced structures for Si photonics
- Ge (unstrained) on Si
- Compressive and tensile strained SiGe layers
- Strained Si on relaxed SiGe layers
- Tensile strained Ge layers (on-going)
- Multi-layer structures for different device purposes
- Doped and undoped Ge,Si, GeSi, GeSn, GeSiSn, … layers
- SGOI (Ge=40% and 60%)
- Ge on Silicon (single layer for 0.5um thick epi-layer)
Application for IR
- SiGe/Si bolometer (low noise)
- Ge(Sn) photonic detectors(low dark current)
- SWIR Sensor (camera)
